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중국 Tsinghua Unigroup, Intel용 3D NAND Flash 제조

나에+ 2018. 3. 9. 20:21
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■ 출처

https://www.techpowerup.com/242195/chinas-tsinghua-unigroup-to-manufacture-3d-nand-flash-for-intel


■ 참조

http://www.businesskorea.co.kr/english/news/ict/20791-china-intel-alliance-china-join-hands-intel-develop-3d-nand-against-korea


PC, 스마트폰 시장에서의 늘어나는 낸드 플래시 메모리 수요에 맞춰 공급을 확보하기 위해 중국의 Tsinghua Unigroup과 Intel이 기존 IMFlash Technologies를 기반으로 64층 3D NAND 플래시를 라이센스 제조하는 대에 협상중이라고 합니다. IMFlash는 Intel과 Micron Technology의 합작 회사(Joint-venture)입니다. Tsinghua Unigroup은 2025년까지 중국의 반도체 자급률을 70%까지 높히기 위해 향후 5년간 1조위안(1850억 달러)를 투자하는 중국 정부의 야심찬 계획의 최대 수혜자 중 한 곳이라고 합니다.


이러한 움직임은 NAND 플래시 메모리의 공급을 크게 늘릴 것이며, 한국 NAND 플래시 거인인 삼성과 SK 하이닉스, 일본의 도시바를 위협할 것으로 보입니다. 현재 IMFlash Technology는 2017년에 자사의 첫 64층 3D NAND 플래시 칩을 출시했으며, 새로운 10nm급 실리콘 제조 공정으로 현존 64층을 넘어선 두 배 밀도의 96층 3D NAND 프랠시 칩을 개발중입니다.



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