IBM 연구소 연합, 5nm 기술용 새로운 트랜지스터 개발

■ 출처

- https://www.techpowerup.com/234082/ibm-research-alliance-builds-new-transistor-for-5-nm-technology

IBM과 제휴 연구 파트너인 GLOBALFOUNDERIES, 삼성 등의 업체가 5nm 칩을 구현할 수 있는 실리콘 나노시트 트랜지스터를 업계 최초로 개발했다고 합니다. 여기에 대한 세부 사항은 일본 교토에서 개최될 2017 VLSI 기술 심포지엄 컨퍼런스에서 발표될 예정이라고 합니다.

 

이에 따라 성능이 향상되어 컴퓨팅, IoT, 클라우드 등에서 데이터 집약적인 응용 프로그램을 가속화할 수 있고, 줄어든 전력 소모로 모바일 제품의 배터리가 2~3배는 더 오래갈 수 있게 됩니다.

SUNY 폴리텍 연구소(SUNY Polytechnic Institute)의 IBM 주도의 과학자들이 FinFET 대신에 실리콘 나노 시트의 스택을 트랜지스터 소자 구조로 사용하는 획기적인 발전을 이루었습니다. 이는 7nm 노드 기술을 해쳐나갈 반도체 업계의 청사진입니다.

 

일반 시장에 사용되고 있는 10nm 기술과 비교하면, 나노 시트 기반의 5nm 기술은 같은 전력에서 40%의 성능 향상을 제공하거나, 동일 성능에서 75% 의 전력을 절감할 수 있습니다. 이러한 기술을 우리의 미래 기술에 큰 기여를 하겠지요. 

 

2014년 발표된 IBM의 R&D의 일환으로 IBM은 실리콘 및 반도체 혁신에 역사적인 기여를 했습니다.