도시바의 768Gb 3D QLC NAND플래시의 P/E 사이클, TLC와 동급

■ 출처

- http://www.anandtech.com/show/11590/toshiba-768-gb-3d-qlc-nand-flash-memory-1000-p-e-cycles

- https://www.techpowerup.com/234878/toshibas-768-gb-3d-qlc-nand-flash-to-match-tlcs-program-erase-cycles

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도시바에서 나오는 모든 뉴스가 나쁜 것만 있는 건 아닙니다(사업 축소나 부도 뭐 이런 이야기). 이 일본 기업은 최근의 불황에도 불구하고 여전히 NAND 업계에서 가장 큰 업체중 하나지요. 최근 이 회사는 SSD등에 사용되는 제품의 GB당 가격을 내려줄 수 있는 QLC(quadruple level cell) NAND 메모리를 개발했음을 알렸는데요, 하지만 이러한 셀 레벨의 증가는 성능만이 아니라 특히 내구성에 대한 우려를 초래하곤 합니다. 셀 당 더 많은 상태에 대한 전압 단계가 적용되기 때문인데요, SLC는 2단계, MCL는 4단계, TLC는 8단계, QLC는 16단계의 변화를 처리해야만 합니다. 그렇기에 이러한 것들은 더욱 강력한 오류 정정 기술을 필요로 하고, 상태 변화 량 때문에 셀의 수명이 저하되게 됩니다.

 

도시바에 따르면 3D QLC NAND는 약 1,000회의 P/E(Program/Erase) 사이클을 목표로 하며, 이는 TLC NAND 플래시와 비슷합니다. 이 수치는 업계에서 예상하는 QLC의 P/E 사이클인 약 100-150회를 아득히 초과하는 숫자이며, 도시바가 많은 난관을 헤쳐왔다는 것을 알 수 있게 해 줍니다. 도시바는 이번 달 초 3D QLC NAND 메모리 디바이스 샘플링을 시작했고, 2018년 후반이나 2019년 양산을 시작한다고 합니다.