GLOBALFOUNDRIES, 2Tbps 실현한 2.5D HBM

■ 출처

- http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1075829.html

- https://www.globalfoundries.com/news-events/press-releases/globalfoundries-demonstrates-25d-high-bandwidth-memory-solution-data

- https://www.rambus.com/memory-and-interfaces/ddrn-phys/hbm/

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GLOBALFOUNDRIES(GF)는 9일(미국 시간), 자사의 14nm Fin-FET 공정으로 제조되는 ASIC 제조 서비스 'FX-14'에 적용 가능한 2.5D 회로 적층 패키징 기술의 시연을 진행했습니다. 다수의 DRAM 다이를 적층하고, 특수한 인터페이스로 프로세서와 더욱 높은 대역폭 연결을 가능하게 하기에 빅데이터로 대표되는 최근의 시장 요구를 파악한 솔루션이라고 할 수 있습니다.

GDDR5의 후계로서 기대되는 DRAM기술 HBM(High Bandwidth Memory:광대역메모리)은 기존 DRAM의 대역폭이 한계에 다달았다는 것을 받아 들여, DRAM 다이 스택(적층)으로 이 한계를 돌파하는 걸 전제로 개발되고 있습니다.

HBM은 SoC나 CPU등의 다이에 직접 DRAM을 적층하는 3D 스태킹과, 인터포저라고 하는 다이 사이를 연결(배선)하는 보드(기판)에 메모리와 SoC나 CPU와 DRAM을 별도로 배치하는 2.5D 스태킹 기술이 있습니다.

프로세서 다이에 직접 적층되냐, 빠른 인터포저 통해(경유) 프로세서 근처에 연결되냐의 차이는 있지만, 모두 DRAM보다 넓은 광대역 연결을 할 수 있다는 공통점이 있습니다. 이번 GF에서 발표한 이 기술은 기존 공정의 한계를 돌파하기 위해 인터포저 연결 기술과 전송 속도가 2Tbps를 넘는 멀티 레인 HBM2 PHY(물리 계층)을 포함한 14nm Fin-FET 2.5D ASIC 솔루션입니다.

이 HBM2 PHY는 Rambus와의 협력으로 개발된 것으로, JEDEC이 책정한 사양을 완벽하게 준수하며, PHY는 8개의 독립적인 채널을 가지고 있어 각각 128bit, 총 1,024bit의 버스 폭이 되며 DRAM 다이 8/4/2개의 스택이 가능합니다. 또한 미래에 GF가 7nm FinFET 공정을 채용하는 ASIC 제조 기술에도 동일한 패키징 기술을 적용할 것이라고 합니다.