Intel, 64층 3D 낸드를 위한 최초의 10nm 칩

■ 출처

- https://www.techpowerup.com/237364/intels-first-10-nm-chips-to-the-market-are-64-layer-3d-nand

- http://www.storagereview.com/intel_shows_off_new_tech_ships_1st_64layer_3d_nand_for_data_center

---

비휘발성 메모리는 위험성이 낮아 종종 실리콘 제조 공정의 첫 타자가 되기도 합니다. 한 개의 NAND 칩은 트랜지스터로 된 바다이며, CPU 다이만큼이나 전문화된 R&D 비용이 일부 필요합니다. 인텔의 새로운 10nm 팹에서 생산될 첫번째 칩은 데이터센터 애플리케이션용 64층 3D NAND 플레시 메모리가 될 것이라고 합니다.

인텔은 이 10nm 공정과 함께 FinFET Hyper Scaling을 도입하고 있으며, 이로 인해 기존에 10nm 에서 기대할 수 있었던 밀도보다 2.7배 높은 트랜지스터 밀도를 증가시킬 것이라고 합니다. 이는 그만큼 NAND 플래시 스토리지의 밀도를 더 늘릴 수 있다는 이야기이자, 데이터 밀도 역시 더 높아진다는 이야기가 됩니다. 인텔은 이러한 칩들을 소량만 생산할 수 있고, 이는 왜 이 처음 출시될 SSD가 상당히 비싸면서도 고용량인 데이터 센터용으로 출시되는지를 설명해 줍니다.