Intel 10nm 공정은 14nm 공정 대비 트랜지스터 밀도 2.7배 높혀

- https://www.techpowerup.com/245598/intel-10-nm-process-increases-transistor-density-by-2-7x-over-14-nm-report

- http://www.techinsights.com/technology-intelligence/overview/latest-reports/intel-10-nm-logic-process/

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Tech Insights의 기술 보고에 따르면 Intel의 10nm FinFET 실리콘 제조는 예상보다 느리게 진행되고 있지만 이게 안정화되면 실리콘 설계자 입장에선 캔버스를 크게 늘릴 수 있다고 합니다. Tech Insights의 연구자들이 Lenovo Ideapad330의 Core i3-8121U 프로세서를 전자 현미경으로 관찰했다고 하네요.

요약하면 10nm 공정은 현재 14nm 공정 노드 대비 트랜지스터 밀도를 2.7배 높힐 수 있으며 평방 밀리미터당 최대 100.8만개의 트랜지스터를 때려 박을 수 있다고 합니다. 127평방 밀리미터의 다이라면 약 128억개의 트랜지스터를 가질 수 있게 된다고 하고요.

인텔의 10nm 공정은 또한 3세대 FinFET 공정을 사용해 게이트 피치가 70nm가 아니라 54nm로 줄고, 최소 메탈 피치 역시 52nm에서 36nm로 줄었다고 합니다. 그래서 코발트를 실리콘 기판의 배선 및 앵커층에 사용하고 있고요.