Samsung, Toggle DDR 4.0 채용으로 속도를 향상한 5세대 V-NAND 메모리

- https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1132083.html

- https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-brings-next-wave-of-high-performance-storage-with-mass-production-of-fifth-generation-v-nand

---

삼성전자가 7월 10일(한국 시간), 5세대 V-NAND 플래시 메모리의 양산을 발표했습니다. 업계 최초로 Toggle DDR 4.0 인터페이스를 채용해 상당한 속도 향상을 가져왔다네요.

이 Toggle DDR 4.0을 채용한 5세대 256bit V-NAND는 메모리와 스토리지간의 전송 속도가 1.4Gbps에 달하며, 이전 세대의 64층 칩과 비교해 40%의 속도 향상을 실현하였다고 합니다. 거기에 업계 최대의 90층 이상의 3D CTF(Charge Trap Flash)셀을 피라미드 구조로 격납해 셀 수는 850억이 넘어간다고 합니다. 각 셀은 3bit의 데이터를 저장할 수 있다네요.

이렇게 전송 속도는 올랐지만서도 소비 전력은 64층 칩과 동일하며, 가동 전압을 1.8V에서 1.2V로 낮춰 소비 전력의 증가를 피할 수 있었다고 합니다. 쓰기 속도 역시 30%이상 향상되어 500μs 수준으로, 읽기는 50μs 정도 줄었다고 합니다.

이 외에 5세대 V-NAND는 원자 층 증착 기술 덕분에 생산 효율이 30%를 상회했으며, 첨단 기술로 셀 당 층의 높이가 20% 감소해 셀 간의 간섭 방지가 도모되어 칩의 데이터 처리 성능을 향상시켰다고 합니다. 삼성은 향후 1Tbit 및 QLC(Quad-Level Cell)로 구성된 차세대 V-NAND도 제공할 예정이라고 하니 참조하세요.