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삼성전자가 엔비디아의 GPU 기술 컨퍼런스(GTC)에서 새로운 DRAM 성능을 제공하는 새로운 고역폭 메모리(HBM2E)를 선보였습니다. 그래픽 시스템 및 인공 지능 등의 요구에 맞춤 제품이라고 하네요.이 새로운 Flashbolt(플래시 볼트) 제품은 핀당 3.2Gbps의 데이터 전송 속도를 제공하며, 이는 이전 세대 제품인 HBM2보다도 33% 더 빠른 속도라고 합니다. 또한 이전 세대 대비 두배인 다이당 16Gb의 밀도를 지닌다고 하며, 이러한 개선으로 하나의 삼성 HBM2E 패키지로 410GBps의 데이터 전송 속도와 16GB의 메모리를 실현할 수 있게 되었다고 합니다.
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