도시바, 1칩으로 1TB를 실현한 TSV 기술 채용 플래시 메모리 ´BiCS FLASH´

■ 출처

- http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1070025.html

- https://www.toshiba-memory.co.jp/company/news/20170711-1.html

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도시바가 세계 최초로 TSV 기술을 사용한 3bit/cell(TLC) 3D 플래시 메모리인 'BiCS FLASH'를 시작(試作)하고, 6월 부터 개발용 시제품의 제공을 시작했다고 발표했습니다. 샘플은 2017년 중을 예정하고 있으며, 8월 7일~10일 미국 산타 클라라에서 개최되는 'Flash Memory Summit 2017'에 전시할 예정이라고 합니다.

 

TSV는 여러 칩의 내부를 수직으로 관통하는 전극을 사용하여, 데이터 입출력의 고속화와 저소비를 실현하는 기술이며, 2D NAND 플래시에는 이미 적용된 적이 있습니다. 

 

이번에 48층 적층 공정을 이용한 TLC 플래시 메모리에 적용해 쓰기 대역의 향상과, 소비 전력의 절감을 실현하는 것으로, 와이어 본딩 제품에 비해 전력 효율을 2배 가량 향상했다고 합니다. 또한 512Gbit 칩을 하나의 패키지에 16단 적층해 1TB용량 역시 실현했습니다.

 

향수 액세스 지연 시간 감소 및 전송의 속도의 고속화 등을 통해 단위 전력당 높은 IOPS가 필요한 엔터프라이즈 SSD나 플래시 스토리지로의 실용화를 목표로 개발중이며, 제품의 패키지는 NAND Dual x8 BGA-152, 용량은 512GB(8층), 1TB(16층), 풋 프린트는 14 x 18mm(폭 x  길이(幅×奥行き)), 512GB 모델은 높이 1.35mm, 1TB 모델이 1.85mm, 인터페이스는 Toggle DDR, 최대 속도는 1, 066Mbps라고 합니다.