삼성전자, EUV 7nm LPP 개발 완료, ArF 액침 노광으로 비용 절감 커

- https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1148566.html

- https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-starts-production-of-euv-based-7nm-lpp-process

삼성전자가 10월 18일, EUV(Extreme Ultra-Violet)노광을 채용한 7nm LPP(Low Power Plus)의 제조 기술 개발을 완료했으며 이 기술을 사용한 반도체 생산을 시작한다고 발표했으며, 추가로 3nm 프로세스에 대한 로드맵도 확정했다고 합니다.

기존의 ArF 액침 노광은 193nm 파장 밖에 사용하 수 없어 비싼 멀티 패턴 마스크 세트가 필요했지만 EUV 노광기술은 13.5nm 파장을 사용해 1장의 마스크로 1개의 와이퍼를 만들 수 있게 된다고 합니다(기존엔 4장의 마스크 필요). 여기에 7nm LPP를 사용하지 않은 것과 비교해 마스크 수를 약 20% 줄일 수 있고, 이는 제조 시간 및 비용 단축으로 이어진다고 합니다. 이외에도 성능 향상, 낮은 전력 소모, 공간 활용 등의 장점도 있어 10nm FinFET과 비교해 최대 20%의 성능 향상, 50%의 전력 절감, 40%의 면적 효율성 향상이 이뤄진다고 전합니다.

삼성전자는 이어 7nm LPP를 활용해 5G, AI, 엔터프라이즈/하이퍼 스케일 데이터센터, IoT, 자동 운전, 네트워크 등의 분야에 크게 이바지 할 것이라고 전했습니다.