- https://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/1132083.html- https://news.samsung.com/global/samsung-electronics-brings-next-wave-of-high-performance-storage-with-mass-production-of-fifth-generation-v-nand삼성전자가 7월 10일(한국 시간), 5세대 V-NAND 플래시 메모리의 양산을 발표했습니다. 업계 최초로 Toggle DDR 4.0 인터페이스를 채용해 상당한 속도 향상을 가져왔다네요. 이 Toggle DDR 4.0을 채용한 5세대 256bit V-NAND는 메모리와 스토리지간의 전송 속도가 1.4Gbps에 달하며, 이전 세대의 64층 칩과 비교해 ..

■ 출처- https://www.techpowerup.com/234375/samsung-ramps-up-64-layer-3d-v-nand-memory-production 삼성전자는 서버, PC 모바일 애플리케이션 등을 위한 스토리지 솔루션 라인업 확대를 위해 64레이즈 256Gb V-NAND 플래시 메모리를 양산(volume producyion)하겠다고 발표했습니다. 여기엔 UFS 메모리, SSD, 외장 메모리 등이 포함됩니다. 삼성의 64층 3bit 256Gb V-NAND는 현재 사용 가능한 NAND 플래시 중 가장 빠른(1Gbps)의 데이터 전송 속도를 가지며, 업계에서 가장 빠른 페이지 프로그래밍 시간(tPROG)인 500마이크로초(㎲)의 스펙을 가집니다. 이는 일반적인 10nm급 평면 메모리 제품..